Drukāt lapu
GNP2070TD-ZTR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Surface Mount
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
162 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 11,590 € |
| 5+ | 9,840 € |
| 10+ | 8,080 € |
| 50+ | 7,540 € |
| 100+ | 6,990 € |
| 250+ | 6,850 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 1
Vairāki: 1
11,59 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsROHM
Ražotāja detaļas Nr.GNP2070TD-ZTR
Pasūtījuma kods4633526
Tehnisko datu lapa
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source On State Resistance0.098ohm
Typical Gate Charge5.2nC
Transistor Case StyleTOLL
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktu pārskats
GNP2070TD-ZTR is a 650V GaN HEMT which has achieved the industry's highest class FOM (Ron*Ciss, Ron*Coss). It is a product of the EcoGaN™ series that contributes to power conversion efficiency and size reduction by making the best use of low ON resistance and high-speed switching. ESD protection function is built in for high-reliability design. In addition, the highly versatile packages provide excellent heat dissipation and facilitates mounting. Suitable for high switching frequency converter and high density converter applications.
- 650V E-mode GaN HEMT
- 70mohm resistance and 5.2nC gate charge
- 27A Ids, 6.5V Vgs rating
- 0.098ohm drain source on state resistance
- 53A ID,pulse
- 800V transient drain to source voltage
- 8.5V transient gate to source voltage
- 159W power dissipation at Tc= 25°C
- 8 pin TOLL package, operation temperature Tj range from -55 to 150°C
- Dimension is 11.68mm x 9.9mm x 2.4mm (W (Typ) x D (Typ) x H (Max))
Tehniskie parametri
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.098ohm
Transistor Case Style
TOLL
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
27A
Typical Gate Charge
5.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Japan
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Japan
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.00001
Produkta izsekojamība