Drukāt lapu
RGE60TS65DGC13
IGBT, 51 A, 1.65 V, 166 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pins
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Pieejams pasūtījumiem
izrādiet savu ieinteresētību šeit
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 6,490 € |
| 10+ | 4,740 € |
| 100+ | 3,840 € |
| 500+ | 3,630 € |
| 1000+ | 3,410 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
6,49 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsROHM
Ražotāja detaļas Nr.RGE60TS65DGC13
Pasūtījuma kods4633480
Tehnisko datu lapa
Continuous Collector Current51A
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Power Dissipation166W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247GE
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Tehniskie parametri
Continuous Collector Current
51A
Power Dissipation
166W
Transistor Case Style
TO-247GE
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Thailand
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Thailand
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.00001
Produkta izsekojamība