Drukāt lapu
RGWS80TS65GC13
IGBT, 71 A, 2 V, 202 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pins
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
118 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 5,090 € |
| 10+ | 3,760 € |
| 100+ | 2,420 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
5,09 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsROHM
Ražotāja detaļas Nr.RGWS80TS65GC13
Pasūtījuma kods3976633
Tehnisko datu lapa
Continuous Collector Current71A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation202W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247GE
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Tehniskie parametri
Continuous Collector Current
71A
Power Dissipation
202W
Transistor Case Style
TO-247GE
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Thailand
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Thailand
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.0032