Drukāt lapu
UMG9NTR
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Dual, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsROHM
Ražotāja detaļas Nr.UMG9NTR
Pasūtījuma kods1680400
Produktu klāstsUMG9N Series
Tehnisko datu lapa
Iepakojuma iespējas
689 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 5+ | 0,410 € |
| 10+ | 0,250 € |
| 100+ | 0,165 € |
| 500+ | 0,129 € |
| 1000+ | 0,108 € |
| 5000+ | 0,0821 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 5
Vairāki: 5
2,05 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsROHM
Ražotāja detaļas Nr.UMG9NTR
Pasūtījuma kods1680400
Produktu klāstsUMG9N Series
Tehnisko datu lapa
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R110kohm
Base Emitter Resistor R210kohm
Transistor Case StyleSOT-353
No. of Pins5 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation150mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min30hFE
Product RangeUMG9N Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Produktu pārskats
The UMG9NTR is a dual NPN digital Bipolar Transistor with built-in biasing resistors. The device integrating two transistors is available in ultra-compact package, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators and driver ICs.
- Ultra-compact complex digital transistor
- Potential divider type
- Small surface-mount package
Lietošanas veidi
Motor Drive & Control, Communications & Networking, Portable Devices, Industrial, Power Management
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Base Input Resistor R1
10kohm
Transistor Case Style
SOT-353
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
UMG9N Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
10kohm
No. of Pins
5 Pin
Power Dissipation
150mW
DC Current Gain hFE Min
30hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Japan
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Japan
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000035