Drukāt lapu
SDB10S120
Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 1.2 kV, 10 A, 40 nC, TO-252
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Vairs netiek ražots
Informācija par produktiem
RažotājsSEMISOUTH
Ražotāja detaļas Nr.SDB10S120
Pasūtījuma kods2136255
Tehnisko datu lapa
Product Range-
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current10A
Total Capacitive Charge40nC
Diode Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2014)
Tehniskie parametri
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
40nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (17-Dec-2014)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
10A
Diode Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:United States
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:United States
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jāiesaka
SVHC:No SVHC (17-Dec-2014)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.003184