Drukāt lapu
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Vairs netiek ražots
Informācija par produktiem
RažotājsSEMISOUTH
Ražotāja detaļas Nr.SGDR2500P2
Pasūtījuma kods1973237
Tehnisko datu lapa
Silicon ManufacturerSemisouth
Silicon Core Number-
Kit Application TypeDriver - Bridge
Application Sub TypePower Manager
Core Architecture-
Core Sub-Architecture-
Silicon Family Name-
Kit ContentsDemo Board SGDR2500P2
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2014)
Produktu pārskats
The SGDR2500P2 is an opto isolated, two stage gate driver optimized for high speed hard switching of APTJC120AM13VCT1AG SiC JFET half bridge power module. The evaluation board gate driver provides isolated high side & lowside drivers with peak output currents of 20A/-10A for fast turn on transients, yielding record low switching energy losses.
- Suitable for driving APTJC120AM13VCT1AG
- Isolated high side and low side outputs
- On board derivation of isolated ±15V supply voltages
- Two stage driver(switching & conduction)
- Switching frequency up to 100kHz
- 0 to 100 percent duty cycle
Lietošanas veidi
Power Management
Tehniskie parametri
Silicon Manufacturer
Semisouth
Kit Application Type
Driver - Bridge
Core Architecture
-
Silicon Family Name
-
Product Range
-
Silicon Core Number
-
Application Sub Type
Power Manager
Core Sub-Architecture
-
Kit Contents
Demo Board SGDR2500P2
SVHC
No SVHC (17-Dec-2014)
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:United States
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:United States
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:84733080
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jāiesaka
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jāiesaka
SVHC:No SVHC (17-Dec-2014)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.036854