Drukāt lapu
GD50HFX65C1S
IGBT Module, Half Bridge, 75 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Module
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsSTARPOWER
Ražotāja detaļas Nr.GD50HFX65C1S
Pasūtījuma kods3912062
Jūsu daļas numurs
Tehnisko datu lapa
40 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 31,080 € |
| 5+ | 28,760 € |
| 10+ | 26,170 € |
| 50+ | 25,620 € |
| 100+ | 24,820 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
31,08 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Informācija par produktiem
RažotājsSTARPOWER
Ražotāja detaļas Nr.GD50HFX65C1S
Pasūtījuma kods3912062
Tehnisko datu lapa
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current75A
Continuous Collector Current75A
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Power Dissipation Pd205W
Power Dissipation205W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT TechnologyTrench
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Tehniskie parametri
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
75A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation
205W
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
75A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation Pd
205W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
IGBT Technology
Trench
Product Range
-
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.00632