Drukāt lapu
GD75HFX170C1S
IGBT Module, Half Bridge, 139 A, 1.85 V, 559 W, 150 °C, Module
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
41 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 50,170 € |
| 5+ | 46,550 € |
| 10+ | 42,300 € |
| 50+ | 40,760 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
50,17 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsSTARPOWER
Ražotāja detaļas Nr.GD75HFX170C1S
Pasūtījuma kods3912068
Tehnisko datu lapa
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current139A
DC Collector Current139A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation Pd559W
Power Dissipation559W
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
IGBT TechnologyTrench
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Tehniskie parametri
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
139A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation
559W
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
139A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation Pd
559W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
IGBT Technology
Trench
Product Range
-
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.15