Drukāt lapu
PD54003L-E
RF FET Transistor, 25 V, 4 A, 19.5 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Vairs netiek ražots
Informācija par produktiem
RažotājsSTMICROELECTRONICS
Ražotāja detaļas Nr.PD54003L-E
Pasūtījuma kods1317089
Tehnisko datu lapa
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id4A
Power Dissipation19.5W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max1GHz
Transistor Case StylePowerSO-10RF
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max165°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Tehniskie parametri
Drain Source Voltage Vds
25V
Power Dissipation
19.5W
Operating Frequency Max
1GHz
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
4A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
PowerSO-10RF
Operating Temperature Max
165°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Italy
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Italy
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jāiesaka
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.003