Drukāt lapu
PD84008L-E
RF FET Transistor, 25 V, 7 A, 26.7 W, 1 GHz, PowerFLAT
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Informācija par produktiem
RažotājsSTMICROELECTRONICS
Ražotāja detaļas Nr.PD84008L-E
Pasūtījuma kods3129606
Tehnisko datu lapa
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id7A
Power Dissipation26.7W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max1GHz
Transistor Case StylePowerFLAT
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktu pārskats
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
Drain Source Voltage Vds
25V
Power Dissipation
26.7W
Operating Frequency Max
1GHz
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Continuous Drain Current Id
7A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
PowerFLAT
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (3)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.00035
Produkta izsekojamība