Drukāt lapu
STGB20NB41LZT4
IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsSTMICROELECTRONICS
Ražotāja detaļas Nr.STGB20NB41LZT4
Pasūtījuma kods2353662
Tehnisko datu lapa
695 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 3,700 € |
| 10+ | 2,430 € |
| 100+ | 1,710 € |
| 500+ | 1,520 € |
| 1000+ | 1,390 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
3,70 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsSTMICROELECTRONICS
Ražotāja detaļas Nr.STGB20NB41LZT4
Pasūtījuma kods2353662
Tehnisko datu lapa
Continuous Collector Current40A
Collector Emitter Saturation Voltage1.3V
Power Dissipation200W
Collector Emitter Voltage Max412V
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The STGB20NB41LZT4 is an internally clamped PowerMESH™ IGBT using the latest high voltage technology based on a patented strip layout. STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The built-in collector-gate Zener exhibits a very precise active clamping while the gate-emitter Zener supplies an ESD protection.
- Polysilicon gate voltage driven
- Low threshold voltage
- Low on-voltage drop
- Low gate charge
- High current capability
- High voltage clamping
Lietošanas veidi
Automotive, Power Management
Tehniskie parametri
Continuous Collector Current
40A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.3V
Collector Emitter Voltage Max
412V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehniskā dokumentācija (2)
Saistītie produkti
Atrasti 2 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.0001
Produkta izsekojamība