Drukāt lapu
STGD5NB120SZ-1
IGBT, 10 A, 1.3 V, 75 W, 1.2 kV, TO-251, 3 Pins
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsSTMICROELECTRONICS
Ražotāja detaļas Nr.STGD5NB120SZ-1
Pasūtījuma kods2807162
Produktu klāstsPowerMESH
Tehnisko datu lapa
Vairs netiek ražots
Informācija par produktiem
RažotājsSTMICROELECTRONICS
Ražotāja detaļas Nr.STGD5NB120SZ-1
Pasūtījuma kods2807162
Produktu klāstsPowerMESH
Tehnisko datu lapa
Continuous Collector Current10A
Collector Emitter Saturation Voltage1.3V
Power Dissipation75W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-251
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangePowerMESH
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Tehniskie parametri
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation
75W
Transistor Case Style
TO-251
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
PowerMESH
Collector Emitter Saturation Voltage
1.3V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jāiesaka
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.0023
Produkta izsekojamība