Drukāt lapu
STGD6NC60HDT4
IGBT, 15 A, 1.9 V, 56 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsSTMICROELECTRONICS
Ražotāja detaļas Nr.STGD6NC60HDT4
Pasūtījuma kods2849653RL
Produktu klāstsPowerMESH
Tehnisko datu lapa
Informācija par produktiem
RažotājsSTMICROELECTRONICS
Ražotāja detaļas Nr.STGD6NC60HDT4
Pasūtījuma kods2849653RL
Produktu klāstsPowerMESH
Tehnisko datu lapa
Continuous Collector Current15A
Collector Emitter Saturation Voltage1.9V
Power Dissipation56W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product RangePowerMESH
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Tehniskie parametri
Continuous Collector Current
15A
Power Dissipation
56W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
PowerMESH
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jāiesaka
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.002