Drukāt lapu
STGWT15H60F
IGBT, Trench Gate, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-3P, 3 Pins
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsSTMICROELECTRONICS
Ražotāja detaļas Nr.STGWT15H60F
Pasūtījuma kods2797965
Produktu klāstsH
Tehnisko datu lapa
Vairs netiek ražots
Informācija par produktiem
RažotājsSTMICROELECTRONICS
Ražotāja detaļas Nr.STGWT15H60F
Pasūtījuma kods2797965
Produktu klāstsH
Tehnisko datu lapa
Continuous Collector Current30A
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation115W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-3P
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeH
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Tehniskie parametri
Continuous Collector Current
30A
Power Dissipation
115W
Transistor Case Style
TO-3P
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
H
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:South Korea
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:South Korea
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.00443
Produkta izsekojamība