Drukāt lapu
STP80NF10
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220, Through Hole
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
9 689 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 3,660 € |
| 10+ | 2,400 € |
| 100+ | 1,800 € |
| 500+ | 1,610 € |
| 1000+ | 1,370 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
3,66 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Informācija par produktiem
RažotājsSTMICROELECTRONICS
Ražotāja detaļas Nr.STP80NF10
Pasūtījuma kods9935681
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.015ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The STP80NF10 is a 100V N-channel STripFET™ II Power MOSFET realized with unique STripFET process. It has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer application. It is also intended for any application with low gate charge drive requirements. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Exceptional dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Application oriented characterization
Lietošanas veidi
Industrial, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (2)
STP80NF10 alternatīvas
Atrasti 4 produkti
Saistītie produkti
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Morocco
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Morocco
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Y-Ex
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.002