Drukāt lapu
STP80NF10FP
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, TO-220FP, Through Hole
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
16 Noliktavā
100 Tagad varat rezervēt krājumus
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 3,190 € |
| 10+ | 1,830 € |
| 100+ | 1,620 € |
| 500+ | 1,370 € |
| 1000+ | 1,150 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
3,19 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsSTMICROELECTRONICS
Ražotāja detaļas Nr.STP80NF10FP
Pasūtījuma kods1752168
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.012ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The STP80NF10FP is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. It is suitable as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-to-DC converters for telecom and computer application. It is also intended for any application with low gate charge drive requirements.
- Low gate charge
- Exceptional dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Application oriented characterization
- -55 to 175°C Operating junction temperature
Lietošanas veidi
Power Management, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Industrial
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
45W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (2)
STP80NF10FP alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.003221
Produkta izsekojamība