Drukāt lapu
STP80NF55-08
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 80 A, 8000 µohm, TO-220, Through Hole
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
189 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 2,720 € |
| 10+ | 1,350 € |
| 100+ | 1,280 € |
| 500+ | 1,200 € |
| 1000+ | 1,110 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
2,72 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Informācija par produktiem
RažotājsSTMICROELECTRONICS
Ražotāja detaļas Nr.STP80NF55-08
Pasūtījuma kods1291988
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance8000µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The STP80NF55-08 from STMicroelectronics is a through hole, 55V N channel STripFET II power MOSFET in TO-220 package. This power MOSFET designed in unique Single Feature Size strip based process, resulting transistor shows extremely high packing density for low onstate resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps. Applicable at switching applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 55V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of 80A
- Power dissipation (Pd) of 300W
- Low on state resistance of 6.5mohm at Vgs 10V
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Lietošanas veidi
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (2)
STP80NF55-08 alternatīvas
Atrasti 5 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Morocco
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Morocco
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Y-Ex
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.002685
Produkta izsekojamība