Drukāt lapu
STW26NM60N
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-247, Through Hole
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
6 115 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 7,200 € |
| 10+ | 6,730 € |
| 100+ | 4,100 € |
| 500+ | 3,900 € |
| 1000+ | 3,400 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
7,20 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsSTMICROELECTRONICS
Ražotāja detaļas Nr.STW26NM60N
Pasūtījuma kods2098389
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.135ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The STW26NM60N is a 600V N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- 100% Avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
Lietošanas veidi
Industrial
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.135ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (2)
STW26NM60N alternatīvas
Atrasti 8 produkti
Saistītie produkti
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.068039