Drukāt lapu
STW88N65M5
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 84 A, 0.024 ohm, TO-247, Through Hole
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
1 526 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 9,760 € |
| 5+ | 9,750 € |
| 10+ | 9,740 € |
| 50+ | 9,470 € |
| 100+ | 9,210 € |
| 250+ | 8,940 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
9,76 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsSTMICROELECTRONICS
Ražotāja detaļas Nr.STW88N65M5
Pasūtījuma kods2341735
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id84A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation450W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The STW88N65M5 is a MDmesh™ V N-channel Power MOSFET offers excellent switching performance. This MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics' well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low ON-resistance, which is unmatched among silicon based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
- Worldwide best RDS (ON)
- Higher VDSS rating
- Higher dV/dt capability
- Easy to drive
- 100% avalanche tested
Lietošanas veidi
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
84A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
450W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (2)
STW88N65M5 alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.006732
Produkta izsekojamība