Drukāt lapu
D2013UK
RF FET Transistor, 65 V, 4 A, 83 W, 1 MHz, 200 MHz, DK
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Vairs nav pieejams noliktavā
Informācija par produktiem
RažotājsTT ELECTRONICS / SEMELAB
Ražotāja detaļas Nr.D2013UK
Pasūtījuma kods1856793
Tehnisko datu lapa
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id4A
Power Dissipation83W
Operating Frequency Min1MHz
Operating Frequency Max200MHz
Transistor Case StyleDK
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max200°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
Tehniskie parametri
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
83W
Operating Frequency Max
200MHz
No. of Pins
5Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
4A
Operating Frequency Min
1MHz
Transistor Case Style
DK
Operating Temperature Max
200°C
Transistor Mounting
Flange
Tehniskā dokumentācija (1)
Saistītie produkti
Atrasti 4 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Great Britain
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Great Britain
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.001