Drukāt lapu
D2019UK
RF FET Transistor, 65 V, 1 A, 17.5 W, 50 MHz, 2 GHz, SOIC
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Vairs nav pieejams noliktavā
Informācija par produktiem
RažotājsTT ELECTRONICS / SEMELAB
Ražotāja detaļas Nr.D2019UK
Pasūtījuma kods1856794
Tehnisko datu lapa
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id1A
Power Dissipation17.5W
Operating Frequency Min50MHz
Operating Frequency Max2GHz
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max200°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Tehniskie parametri
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
17.5W
Operating Frequency Max
2GHz
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
1A
Operating Frequency Min
50MHz
Transistor Case Style
SOIC
Operating Temperature Max
200°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Tehniskā dokumentācija (1)
Saistītie produkti
Atrasti 4 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Great Britain
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Great Britain
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.001