Drukāt lapu
D2219UK
RF FET Transistor, 40 V, 2 A, 17.5 W, 1 MHz, 1 GHz, SOIC
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Vairs netiek ražots
Informācija par produktiem
RažotājsTT ELECTRONICS / SEMELAB
Ražotāja detaļas Nr.D2219UK
Pasūtījuma kods1856795
Tehnisko datu lapa
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id2A
Power Dissipation17.5W
Operating Frequency Min1MHz
Operating Frequency Max1GHz
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max200°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Produktu pārskats
The D2219UK is a metal gate RF Silicon FET with single ended configuration for HF/VHF/UHF communications from 1MHz to 1GHz applications. It is a gold metalized multi-purpose DMOS RF transistor features simplified amplifier design and suitable for broadband applications.
- Simple bias circuits
- Low noise
- High gain
- Low reverse transfer capacitance
Lietošanas veidi
Industrial, Communications & Networking, Power Management
Tehniskie parametri
Drain Source Voltage Vds
40V
Power Dissipation
17.5W
Operating Frequency Max
1GHz
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
2A
Operating Frequency Min
1MHz
Transistor Case Style
SOIC
Operating Temperature Max
200°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Tehniskā dokumentācija (2)
Saistītie produkti
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Great Britain
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Great Britain
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.001