Drukāt lapu
SIA4265EDJ-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 9 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsVISHAY
Ražotāja detaļas Nr.SIA4265EDJ-T1-GE3
Pasūtījuma kods3927782RL
Produktu klāstsTrenchFET Series
Tehnisko datu lapa
1 845 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 100+ | 0,252 € |
| 500+ | 0,193 € |
| 1000+ | 0,171 € |
| 5000+ | 0,140 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 100
Vairāki: 5
30,20 € (bez PVN)
5,00 € pārtīšanas maksa tiks pievienota šī produkta cenai
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsVISHAY
Ražotāja detaļas Nr.SIA4265EDJ-T1-GE3
Pasūtījuma kods3927782RL
Produktu klāstsTrenchFET Series
Tehnisko datu lapa
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source On State Resistance0.0265ohm
On Resistance Rds(on)0.0265ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation15.6W
Power Dissipation Pd15.6W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehniskie parametri
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0265ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
15.6W
No. of Pins
7Pins
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
9A
On Resistance Rds(on)
0.0265ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
15.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehniskā dokumentācija (2)
SIA4265EDJ-T1-GE3 alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000001
Produkta izsekojamība