Drukāt lapu
SIDR680DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 100 A, 2900 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsVISHAY
Ražotāja detaļas Nr.SIDR680DP-T1-GE3
Pasūtījuma kods2932901RL
Produktu klāstsTrenchFET Gen IV
Tehnisko datu lapa
Pieejams pasūtījumiem
Ražotāja standarta izpildes laiks: 54 nedēļa(-s)
Paziņot, kad atkal ir krājumā
| Daudzums | |
|---|---|
| 100+ | 1,570 € |
| 500+ | 1,370 € |
| 1500+ | 1,360 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 100
Vairāki: 1
162,00 € (bez PVN)
5,00 € pārtīšanas maksa tiks pievienota šī produkta cenai
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsVISHAY
Ražotāja detaļas Nr.SIDR680DP-T1-GE3
Pasūtījuma kods2932901RL
Produktu klāstsTrenchFET Gen IV
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance2900µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.4V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
2900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (2)
SIDR680DP-T1-GE3 alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Israel
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Israel
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.009072
Produkta izsekojamība