Drukāt lapu
SIR500DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 350.8 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsVISHAY
Ražotāja detaļas Nr.SIR500DP-T1-RE3
Pasūtījuma kods3677848RL
Produktu klāstsTrenchFET Gen V
Tehnisko datu lapa
38 494 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 100+ | 0,991 € |
| 500+ | 0,766 € |
| 1000+ | 0,693 € |
| 5000+ | 0,626 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 100
Vairāki: 1
104,10 € (bez PVN)
5,00 € pārtīšanas maksa tiks pievienota šī produkta cenai
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsVISHAY
Ražotāja detaļas Nr.SIR500DP-T1-RE3
Pasūtījuma kods3677848RL
Produktu klāstsTrenchFET Gen V
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id350.8A
On Resistance Rds(on)390µohm
Drain Source On State Resistance0.00039ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd104.1W
Power Dissipation104.1W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
N-channel 30V (D-S) 150°C MOSFET in PowerPAK SO-8 package is typically used in DC/DC converter, POL, synchronous rectification, battery management, power and load switch applications.
- TrenchFET® Gen V power MOSFET
- Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
- Enables higher power density with very low RDS(on) and thermally enhanced compact package
- 100% Rg and UIS tested
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
390µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
104.1W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
350.8A
Drain Source On State Resistance
0.00039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation
104.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.0005
Produkta izsekojamība