Drukāt lapu
SIR510DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsVISHAY
Ražotāja detaļas Nr.SIR510DP-T1-RE3
Pasūtījuma kods3677856
Produktu klāstsTrenchFET Gen V
Tehnisko datu lapa
8 856 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 1,860 € |
| 10+ | 1,590 € |
| 100+ | 1,160 € |
| 500+ | 0,932 € |
| 1000+ | 0,916 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 1
Vairāki: 1
1,86 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsVISHAY
Ražotāja detaļas Nr.SIR510DP-T1-RE3
Pasūtījuma kods3677856
Produktu klāstsTrenchFET Gen V
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id126A
Drain Source On State Resistance3000µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktu pārskats
N-channel 100V (D-S) MOSFET in PowerPAK SO-8 package is typically used in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converter, OR-ing and hot swap switch, power supplies, motor drive control and battery management applications.
- TrenchFET® Gen V power MOSFET
- Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
- Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
- 100% Rg and UIS tested
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
126A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.0005
Produkta izsekojamība