Drukāt lapu
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsVISHAY
Ražotāja detaļas Nr.SIR570DP-T1-RE3
Pasūtījuma kods3677857RL
Produktu klāstsTrenchFET Gen V
Tehnisko datu lapa
1 603 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
Daudzums | |
---|---|
100+ | 1,440 € |
500+ | 1,230 € |
1000+ | 1,070 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 100
Vairāki: 1
149,00 € (bez PVN)
5,00 € pārtīšanas maksa tiks pievienota šī produkta cenai
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsVISHAY
Ražotāja detaļas Nr.SIR570DP-T1-RE3
Pasūtījuma kods3677857RL
Produktu klāstsTrenchFET Gen V
Tehnisko datu lapa
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id77.4A
Drain Source On State Resistance0.0065ohm
On Resistance Rds(on)0.0065ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd104W
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktu pārskats
N-channel 150V (D-S) MOSFET in PowerPAK SO-8 package is typically used in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converter, power supplies and motor drive control applications.
- TrenchFET® Gen V power MOSFET
- Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
- Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
- 100% Rg and UIS tested
Tehniskie parametri
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0065ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
104W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
77.4A
On Resistance Rds(on)
0.0065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.0005
Produkta izsekojamība