Drukāt lapu
SUD50P04-08-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 50 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
39 460 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 1,760 € |
| 10+ | 1,230 € |
| 100+ | 0,876 € |
| 500+ | 0,696 € |
| 1000+ | 0,628 € |
| 5000+ | 0,548 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 1
Vairāki: 1
1,76 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsVISHAY
Ražotāja detaļas Nr.SUD50P04-08-GE3
Pasūtījuma kods1794811
Tehnisko datu lapa
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.0067ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation73.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The SUD50P04-08-GE3 from Vishay is a surface mount, 40V P channel TrenchFET power MOSFET in TO-252 package. This device is used as power switch, DC to DC converters and load switch in high current applications.
- Drain to source voltage (Vds) of -40V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -50A
- Power dissipation (Pd) of 73.5W
- Low on state resistance of 9.7mohm at Vgs -4.5V
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Lietošanas veidi
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
Tehniskie parametri
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
73.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0067ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (2)
SUD50P04-08-GE3 alternatīvas
Atrasti 8 produkti
Saistītie produkti
Atrasti 6 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.0003